在国家对电动汽车的积极鼓励及补贴扶持，电动汽车包括混动和纯电动在国内增长的速度是以每年50%的速度再增长，而作为电动汽车的核心组件的电池以及电池管理系统，市场需求也是日渐增长，以下是就电池管理系统对存储器的需求进行分析
电池充放电状态的预测和计算（即SOC）、单体电池的均衡管理，以及电池健康状态日志记录与诊断是电池管理系统（Battery Management System, 即BMS）主要实现三大核心功能
功能框图如下：
电池荷电状态的预测和计算（即SOC）是整个电池管理系统中最核心的功能，只有在有了精确的电池充电/放电状态的预测/计算，电池管理系统才能进行有效均衡管理，所以对SOC精准度要求极高。
在整个电池管理系统中，电池荷电状态的预测和计算（即SOC）是其最重要的功能，因为有了精确的电池充电/放电状态的预测/计算，才能进行有效均衡管理。因此对SOC精准度的要求是越高越好。
通过采集电池的电压、电流参数，还需要提供诸如阻抗、温度、环境温度、充放电时间等多种参数来提高SOC的精准度，电池固有参数是可以通过数学建模的方式，建立软件模型，而电池动态参数需要通过数据采集卡对其实时的采集数据，并实时地将采集到的数据传输到MCU单元存储，再由MCU对提取的数据进行算法计算，从而算出精准的电池荷电状态。
为了实现SOC功能的更高性能，需要将不同电池的模型存入存储器，而该存储器需要具备低功耗，快速读写，接口建档及数据保持时间高达20年以上的要求，SOC功能需要采集卡不停地实时将采集的电池电压/电流数据存入存储器，假如一个MCU单元，对接10路单体电池的采集数据，采集数据卡一般会采用1MB的isoSPI总线进行通信，即对于MCU单元的存储器，接口速率要求高且几乎每秒中都要进行一次数据写操作；而电池的寿命要求至少是10年，假如一台车运行时间是8小时，那么MCU单元的存储器的数据写操作在电池包生命周期内的写次数为1亿5百万次。
由此可以看出，BMS对SOC功能的要求性非常关键，因此对存储器的性能及可靠性也是很严苛，必须是非易失性的存储器，擦写次数至少要超过1.1亿次，接口速率大于8MHz，低功耗且数据能够可靠保存20年的时间，需要符合AECQ-100，未来需要通过功能安全认证，至少具有ASILB等级。
目前主流的非易失性的存储器有EEPROM、 Flash 以及MRAM。EEPROM 的接口有SPI接口，速率可以做到10Mhz，但是每次写都有一个5ms写等待时间，擦写次数是1百万次，功耗中等，有车规级器件，但是目前未做功能安全认证，数据保持能力也可以做到20年。
Flash的读写速度较慢，每次写操作都必须进行擦写，因此完成一次写操作至少需要几百毫秒的时间，擦写次数也只能支持10万次，远远低于1.1亿次的要求，数据保持能力在10年到20年之间。
MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
MRAM 是通过磁性作为存储介质，其具有高可靠性，数据保持时间为100年，完全随机不需要写等待的高读写效率，SPI接口速率最高可以支持到50Mhz或108MHz QSPI，并且具有非常低的功耗；擦写次数可以高达100亿次。
MRAM作为一款独特的非易失性存储器，无论在写入速度、耐久性还是在功耗与可靠性方面，都是目前实现高可靠性BMS系统的最佳存储器选择。
EverSpin作为全球领先的MRAM核心供应商，提供非常齐全的磁性随机存储器MRAM产品，容量由256Kb到256Mb，接口为Serial/Parellel/Quad Serial/DDR3/DDR4接口，具有几乎无限次的读写次数（100亿次读写周期），QSPI接口速率高达108Mhz，不需要写等待时间，工作电流低至0.6mA，是能够承受
